据中科院半导体所公告，中国科学院院士，中科院半导体所研究员，我国著名半导体光电子科学家王伟先生，因病医治无效，于2023年1月26日18时11分在北京逝世，享年86岁。 王维院士，1937年12...
据中科院半导体所公告，中国科学院院士，中科院半导体所研究员，我国著名半导体光电子科学家王伟先生，因病医治无效，于2023年1月26日18时11分在北京逝世，享年86岁。
王维院士，1937年12月25日出生于河北文安1960年毕业于北京大学物理系半导体专业同年，在中国科学院半导体研究所工作他是我国著名的半导体光电子学专家，为我国半导体学科建设，技术创新，产业振兴和人才培养做出了重要贡献本站了解到，王伟院士先后获得国家六五攻关奖，中国科学院科技进步一等奖，国家科技进步二等奖，中国材料研究学会科技一等奖1997年当选中国科学院院士
王伟院士在半导体光电子领域辛勤耕耘，硕果累累，取得了一系列重要科研成果20世纪60年代，我国首先研制出无位错硅单晶，为我国硅平面晶体管和集成电路的发展做出了贡献20世纪70年代，我国首次研制出单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度LED，并成功应用于夜视，引信，目标射击和精密测距仪参与建立了我国第一批ⅲ—V族化合物液相外延方法，为我国首次研制成功GaAs基短波长脉冲激光器奠定了基础20世纪80—90年代，研制成功1.3微米/1.5微米激光器和应变量子阱动态单模分布反馈激光器，为我国发展第二代，第三代长距离大容量光纤通信提供了急需的光源进入新世纪以来，他开展了大应变量子阱材料和不同带隙量子阱材料的单片集成等关键技术研究，建立了可以集成半导体激光器，电吸收调制器，光放大器，探测器和耦合器的集成技术平台，为发展多种光学元件的单片集成技术奠定了基础
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