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美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM,内存密度提升35%

2022-11-27 14:37 来源: IT之家   阅读量:16802   

据共同社报道,位于日本广岛县东广岛市的美光科技子公司日本美光存储器公司16日在该市广岛工厂开始最高端DRAM量产。 据美光介绍,1β技术可以提高能效15%左右,存储密度提高35%以上,单个管芯容...

据共同社报道,位于日本广岛县东广岛市的美光科技子公司日本美光存储器公司16日在该市广岛工厂开始最高端DRAM量产。

美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM,内存密度提升35%

据美光介绍,1β技术可以提高能效15%左右,存储密度提高35%以上,单个管芯容量高达16Gb。

1β制程技术可以实现比以前更低的每比特功耗,为智能手机提供了市面上最节能的内存技术这将有助于智能手机制造商推出电池寿命更长的设备——对于消费者来说,在使用高能耗和数据密集型应用程序时延长电池寿命至关重要

全新的JEDEC增强型动态电压和频率调节扩展核心技术使基于1β的LPDDR5X更加节能在高达3200 Mbps的双频层上添加eDVFSC可以提高节能控制,从而在独特的终端用户模式基础上实现更低的功耗

最后,美光表示,未来一年,美光将在嵌入式,数据中心,客户端,消费产品,工业和汽车等其他应用领域量产1β节点,并推出包括显示内存和高带宽内存在内的产品。

本站了解到,广岛工厂是美光在2013年收购尔必达时收购的,2019年新建了一个工厂,专门生产DRAM这种尖端科技产品日本共同社指出,9月,为巩固其半导体生产基础,日本政府宣布将补贴高达464亿日元用于强化广岛工厂的设备

上一代内存厂商的DRAM芯片分为1X,1Y,1Z工艺,1Xnm工艺相当于16—19nm级别,1Ynm工艺相当于14—16nm级别,1Znm工艺相当于12—14nm级别据业内消息,最新的1α,1β和1γ可能分别相当于14—12nm,12—10nm和10nm

美光发布LPDDR5X—8500内存:采用先进的1β工艺,能效提高15%

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